DESCRIPCION GENERAL:
 
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N, desarrollados con la nueva generación de tecnología MDmesh™: MDmesh II Plus™ de bajo Q g. Estos revolucionarios MOSFET de potencia combinan una estructura vertical con el diseño de tiras de la compañía para ofrecer una de las resistencias de encendido y una carga de puerta más bajas del mundo. Por lo tanto, son ideales para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.