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Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original

 

Hoja de datos.

NTE159

SKU: C825D2232
C$48.00 Precio
C$24.00Precio de oferta
IVA incluido
  • Especificaciones tecnicas:

    • Transistor Bipolar (BJT) PNP
    • Dispositivo diseñado para operar como amplificador de propósito general y en conmutación
    • IC max: 800 mA
    • PTOT: 625 mW
    • VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V
    • hFE : 50 min., 250 max. (@ IC=10 mA, VCE=10 V)
    • VCE(SAT): 0.15 V max. (@ IC=150 mA, IB=15 mA)
    • Encapsulado: TO-92
    • Complementario: NTE123AP
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