Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original
NTE159 Transistor BJT PNP 80V 0.8A TO-92
SKU: C825D2232
C$48.00 Precio
C$24.00Precio de oferta
Agotado
Especificaciones tecnicas:
- Transistor Bipolar (BJT) PNP
- Dispositivo diseñado para operar como amplificador de propósito general y en conmutación
- IC max: 800 mA
- PTOT: 625 mW
- VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V
- hFE : 50 min., 250 max. (@ IC=10 mA, VCE=10 V)
- VCE(SAT): 0.15 V max. (@ IC=150 mA, IB=15 mA)
- Encapsulado: TO-92
- Complementario: NTE123AP