Transistor de potencia IGBT modelo NCE60TD65BT, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia en circuitos electrónicos industriales.
Este semiconductor permite controlar corrientes elevadas mediante una señal aplicada a su terminal de compuerta (Gate). Es adecuado para inversores de potencia, sistemas UPS, equipos de soldadura electrónica, fuentes de alimentación industriales y sistemas de control de motores.
Su tecnología IGBT combina el control por tensión de un transistor MOSFET con la capacidad de conducción de corriente de un transistor bipolar.
NCE60TD65BT IGBT 650V 60A
Disponibles Inmediatos: 3 unidades
Especificaciones técnicas
Parámetro
Valor
Modelo
NCE60TD65BT
Fabricante
NCE Power
Tipo
Transistor IGBT de potencia
Tecnología
Trench FS II (Field Stop)
Voltaje colector-emisor (VCES)
650 V
Corriente de colector (TC = 100 °C)
60 A
Corriente máxima de colector (TC = 25 °C)
120 A
Corriente de colector pulsada
240 A
Voltaje máximo compuerta-emisor
±30 V
Voltaje de saturación VCE(sat)
1.7 V típico, a 60 A
Voltaje umbral de compuerta
4 a 6 V
Potencia máxima de disipación
319 W (TC = 25 °C)
Diodo antiparalelo integrado
Sí
Corriente del diodo (TC = 100 °C)
60 A
Temperatura de unión
−55 a +175 °C
Encapsulado
TO-247-3L
Número de terminales
3
Terminales
Gate (G), Collector (C), Emitter (E)
Aplicaciones
Inversores, variadores de frecuencia, aire acondicionado y electrónica de potencia