Transistor de potencia MOSFET modelo IRFP260N, de canal N, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente y control de potencia en circuitos electrónicos e industriales.
Cuenta con una capacidad de voltaje drenador-fuente de 200 V y una corriente continua de drenador de hasta 50 A, bajo condiciones específicas de temperatura y refrigeración.
Su baja resistencia de conducción y su encapsulado TO-247 permiten utilizarlo en fuentes de alimentación conmutadas, inversores, controladores de motores, convertidores DC-DC y equipos electrónicos de potencia.
IRFP260N Transistor MOSFET – Canal N, 200V, 50A, TO-247
Disponibles Inmediatos: 8 unidades
Especificaciones técnicas
Parámetro
Valor
Modelo
IRFP260N
Tipo
Transistor MOSFET de potencia
Canal
N
Modo de operación
Enriquecimiento (Enhancement Mode)
Voltaje drenador-fuente (VDS)
200 V
Corriente continua de drenador (ID)
50 A a TC = 25 °C
Corriente de drenador a 100 °C
35 A
Corriente de drenador pulsada (IDM)
200 A
Resistencia de conducción (RDS(on))
0.040 Ω máximo
Voltaje compuerta-fuente (VGS)
±20 V
Voltaje umbral de compuerta (VGS(th))
2 a 4 V
Potencia máxima de disipación
300 W a TC = 25 °C
Carga total de compuerta (Qg)
234 nC típico
Temperatura de unión
−55 a +175 °C
Diodo interno
Sí, diodo de cuerpo
Encapsulado
TO-247AC
Número de terminales
3
Terminales
Gate (G), Drain (D), Source (S)
Tipo de montaje
Through-Hole (THT)
Aplicaciones
Inversores, fuentes conmutadas, control de motores y convertidores DC-DC